2015년05월31일 66번
[레이저 및 광전자] GaAs반도체 재료는 실온에서 1.4eV의 에너지 밴드의 갭을 갖고 있다. GaAs를 사용한 반도체레이저의 발진파장은?
- ① 805nm
- ② 886nm
- ③ 924nm
- ④ 975nm
(정답률: 알수없음)
문제 해설
반도체 레이저의 발진파장은 에너지 밴드 갭에 반비례한다. 따라서, 발진파장은 다음과 같이 계산할 수 있다.
발진파장 = (1.24 / 에너지 밴드 갭) x 10^3 nm
GaAs의 에너지 밴드 갭은 1.4eV이므로, 발진파장은 다음과 같이 계산할 수 있다.
발진파장 = (1.24 / 1.4) x 10^3 nm = 886nm
따라서, 정답은 886nm이다.
발진파장 = (1.24 / 에너지 밴드 갭) x 10^3 nm
GaAs의 에너지 밴드 갭은 1.4eV이므로, 발진파장은 다음과 같이 계산할 수 있다.
발진파장 = (1.24 / 1.4) x 10^3 nm = 886nm
따라서, 정답은 886nm이다.