2014년09월20일 61번
[집적회로 설계이론] MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 VG가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계면에 소수 캐리어인 전자가 모이는 현상은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)
- ① 반전 모드(Inversion mode)
- ② 공핍 모드(Depletion mode)
- ③ 축적 모드(Accumulation mode)
- ④ 바디 바이어스 효과(Body bias effect)
(정답률: 73%)
문제 해설
정답을 알 수 없어 임의로 설정한 1번과는 관련 없는 내용입니다.
반전 모드(Inversion mode)는 게이트 전압이 양수인 경우, 산화층과 실리콘 경계면에 소수 캐리어가 모이는 것이 아니라, 게이트 전압이 일정 값 이상인 경우에만 산화층이 완전히 제거되고, 그 아래에 있는 실리콘 층에 전자가 충분히 모여서 전도성을 갖게 되는 모드입니다. 이 때, 게이트와 채널 사이에 전하가 모이게 되어 전류가 흐르게 됩니다.
공핍 모드(Depletion mode)는 게이트 전압이 0V인 경우, 산화층과 실리콘 경계면에 소수 캐리어가 모여서 전도성이 감소하는 모드입니다.
축적 모드(Accumulation mode)는 게이트 전압이 음수인 경우, 산화층과 실리콘 경계면에 양수 캐리어가 모여서 전도성이 증가하는 모드입니다.
바디 바이어스 효과(Body bias effect)는 소자의 바디와 소스/드레인 사이에 전압을 가할 때, 채널의 전하 밀도가 변화하여 전류가 변하는 현상입니다.
따라서, 반전 모드는 게이트 전압이 양수인 경우에 전도성이 생기는 모드이므로, 정답은 반전 모드입니다.
반전 모드(Inversion mode)는 게이트 전압이 양수인 경우, 산화층과 실리콘 경계면에 소수 캐리어가 모이는 것이 아니라, 게이트 전압이 일정 값 이상인 경우에만 산화층이 완전히 제거되고, 그 아래에 있는 실리콘 층에 전자가 충분히 모여서 전도성을 갖게 되는 모드입니다. 이 때, 게이트와 채널 사이에 전하가 모이게 되어 전류가 흐르게 됩니다.
공핍 모드(Depletion mode)는 게이트 전압이 0V인 경우, 산화층과 실리콘 경계면에 소수 캐리어가 모여서 전도성이 감소하는 모드입니다.
축적 모드(Accumulation mode)는 게이트 전압이 음수인 경우, 산화층과 실리콘 경계면에 양수 캐리어가 모여서 전도성이 증가하는 모드입니다.
바디 바이어스 효과(Body bias effect)는 소자의 바디와 소스/드레인 사이에 전압을 가할 때, 채널의 전하 밀도가 변화하여 전류가 변하는 현상입니다.
따라서, 반전 모드는 게이트 전압이 양수인 경우에 전도성이 생기는 모드이므로, 정답은 반전 모드입니다.