연도별 풀이 오답노트 별표문제

반도체설계산업기사 (2014년09월20일 기출문제)

1과목 : 반도체공학

원자번호 14인 Si 원자의 최외각(M각) 전자는 몇 개인가?

p형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?

전계효과 트란지스터의 전극이 아닌 것은?

NPN 트랜지스터에서 베이스 영역의 소수 캐리어, 즉 전자의 이동 방법으로 가장 적합한 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

일정한 온도 하에서 N형 반도체의 도너 불순물 농도를 증가시키면 페르미 준위는?

페르미 준위가E_f이고, 장벽 에너지를 E_b라고 할 때일 함수 ø는? (단, E_b: 장벽 에너지) (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

바이어스를 인가한 증폭용 npn 트랜지스터의 컬렉터 접합면에 흐르는 주된 전류는?

PN 접합 제조 방법이 아닌 것은?

PN 접합의 두 가지 역방향 항복 기구의 조합으로 옳은 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

디지털 집적회로에서 가장 일반적으로 사용되는 금속-절연체-반도체의 구조를 갖는 트랜지스터는?

P형과 N형 반도체에서 다수반송자(Carrier)를 옳게 나타 낸 것은?

PN 접합 다이오드의 전기적 특성인 정류 특성(rectification)이란?

이미터 접지 전류 증폭률이100일 때 베이스 접지 전류 증폭률은 약 얼마인가?

금속에 빛을 비추면 금속의 표면에서 전자가 튀어나오는 현상을 무엇인가?

전계에 의해 전자가 이동(drift)하게 되는데, 이 때의 평균 속도를 이동속도(drift velocity)라고 한다. 다음 중 이동속도를 나타내는 수식으로 옳은 것은? (단, E는 이동도, E는 전계 세기) (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

역방향 바이어스 전압에 의해서 전류가 흐르는 다이오드로서 정전압 회로에 사용되는 것은?

실리콘(Si) 및 게르마늄(Ge)의 결합 구조는? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)의 특징으로 거리가 먼 것은?

PN 접합이 순방향 바이어스일 때 동작으로 옳은 것은?

어떤 금속과 반도체 사이에 형성된 전위장벽 또는 PN접합 정류기의 전하주입으로 인한 속도감소 요소를 제외한 정류기로서의 높고 두꺼운 장벽을 가리키는 용어는?

2과목 : 전자회로

다음 중 시미트 트리거 회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

다음 그림의 변조도는 약 몇 [%] 인가? (단, A=10[V], B=5[V], C=2.5[V]이다.) (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

하틀레이(Hartley) 발진기에서 궤환 요소는?

다음 연산증폭기 회로의 전체 이득(V_O/V_S)은 몇 [dB] 인가?

RC 결합 증폭기에서 저주파 특성을 제한하는 주 요소로 가장 적합한 것은?

다음 정전압 장치의 출력전압은 몇 [V]인가? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

어떤 증폭기의 중간영역 전압이득이 500이고 입력 RC 회로의 하한 임계 주파수가 500[kHz]이다. 주파수 500[kHz]에서 전압 이득은 약 얼마인가?

무부하 출력 전압이 24[V]인 전원장치에 부하 연결 시 출력전압이 22[V]이면 전압 변동률은 약 몇 [%] 인가?

변압기의 2차 코일에 중간탭을 사용하는 정류회로는?

NPN 트랜지스터가 활성 영역에서 증폭기로 정상 동작을 위한 바이어스 인가 방법은? (단, B, E, C는 각 각 베이스, 이미터, 컬렉터 이다.)

상온의 진성반도체에 전압을 인가했을 때 나타나는 현상으로 가장 적합한 것은?

그림과 같이 이미터 저항을 갖는 증폭회로에서이미터 저항 R_E의 가장 중요한 역할은?

전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

연산증폭기에 계단파 입력전압이 인가되었을 때 시간에 따라 출력전압의 변화율은?

다음 설명 중 옳지 않은 것은?

a₀=0.9, f_α=10[kHz]인 트랜지스터가 f=20[kHz]에서 동작할 때 전류 증폭도의 크기는 약 얼마인가? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

효율은 좋으나 출력파형이 심하게 일그러지므로 고주파 동조 증폭기에 한정적으로 응용되는 전력 증폭기는?

다음 원소 중 도너로 사용되지 않는 것은?

다음 그림과 같은 OPAMP 회로에서 출력 전압 V_O는? (단, V₁=1V, V₂=+2V, V₃=+3V, R₁=500kΩ, R₂=1MΩ, R₃=1MΩ, Rf=1MΩ이다.) (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

다음 회로에서 R1=200[kΩ], R2=20[kΩ]일 때 부궤환율(β)은?

3과목 : 논리회로

패리티 비트의 데이터 송신 중의 사용 용도는?

다음 회로에 해당하는 것은?

직렬 2진 가산기는 전가산기 1개만으로 가능하며, 회로적으로 병렬 2진 가산기보다 간단하나 연산속도가 느리다. 직렬 2진 가산기를 구성할 때 꼭 필요한 회로는? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

변수의 수(數)가 3이라면 카르노맵(K-map)에서 몇 개의 칸이 요구되는가?

2진수 10101.11를 BCD코드로 변환하면?

32 × 1 멀티플렉서에서 필요한 제어선의 수는 몇 개인가?

16진수 2A을 2진수로 변환하면? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

4bit 레지스터에서 출력이 4개일 때, 입력의 bit수는?

다음과 같은 게이트의 출력을 나타낸 것은?

그림과 같은 카르노맵의 가장 간단한 논리식은?

순서 회로의 설명 중 옳지 않은 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

타이머 IC로 많이 사용되고있는 NE555의 구성 요소가 아닌 것은?

다음 회로의 기능은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

다음 불(Boolean) 식을 간단히 한 결과 Y는?

다음 플립플롭회로의 출력 Q에 대한 논리식은?

다음 보기 중 NOR 함수를 나타내는 논리식은?

8bit를 사용하여 나타내는 2진수로서 부호와 절대치 방식으로 나타낼 수 있는 수의 범위는?

JK 플립플롭의 트리거 입력과 상태 전환 조건을 설명한 것 중 옳은 것은?

그림과 같은 게이트 회로의 출력을 나타내는 것은?

다음 그림의 표시에서 출력 F는? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

4과목 : 집적회로 설계이론

MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 V_G가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계면에 소수 캐리어인 전자가 모이는 현상은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

실제로 클럭 신호는 MOS의 저항 및 용량 특성에 따라서 전달 과정에서 지연 효과를 갖게 되어 클럭의 시간차가 생긴다. 이와 같은 현상을 무엇이라고 하는가?

게이트 수준에서 검증된 설계 데이터인 네트리스트(netlist)를 집적회로로 구현하기 위해 필요한 마스크의 제작 데이터로 변환시키는 과정은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

CMOS 인버터(Inverter) DC 특성 곡선에서 최대 전류가 흐르는 NMOS와 PMOS의 동작 영역은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

인버터(Inverter)의 동작점이 아닌 것은?

실제의 IC 소자들이 가지고 있는 지연 시간을 고려한 시뮬레이션 방법으로 특히, 여러 단이 종속적(cascade)으로 연결되었을 경우 최종 출력에서 발생하는 spike나 glitch등을 방지하기 위한 방법은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

게이트 전압(V_G)이 기판 전압(V_B)보다 낮은 전위를 갖는 경우, MOS 구조의 동작 모드는?

VLSI 설계에서 강조되는 구조적 설계의 원칙으로 거리가 먼 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

사진 식각 공정을 이용한 산화막 식각 공정을 올바른 순서로 나열한 것은?

게이트 어레이 방식 설계에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

MOS 트랜지스터 게이트 출력이 “1” 또는 “0” 레벨에 있을 경우 DC 전력을 거의 소모하지 않는 디바이스는? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

CMOS 집적회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

동적 CMOS 로직과 거의 같으나, 출력단에 인버팅 래치가 달려있는 점이 다른 로직은?

완전주문형 집적회로(Full-castom IC)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

VLSI 레이아웃 설계 후 레이아웃 도면으로부터 추출한 저항 및 커패시턴스 값을 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 실시하는 과정을 일컫는 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

CMOS 공정에서 p-well보다 n-well 공정을 이용하는 이유로 가장 타당한 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

반도체 공정에서 기체 상태의 화합물을 분해할 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판 위에 박막이나 에피층을 형성하는 공정은?

MOS 트랜지스터가 갖는 3가지 작동 영역이 아닌 것은?

전달게이트(transmission gate)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (문제 오류로 정답이 정확하지 않습니다. 정답지를 찾지못하여 임의 정답 1번으로 설정하였습니다. 정답을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 정답 입력 부탁 드립니다.)

베이스 폭이 3×10^-3[cm]일 때 펀치-슬로 전압 V_pt가 [V]인 PNP 트랜지스터에서 베이스 폭이 6×10^-3[cm]으로 증가하면 V_pt는 얼마인가?

연도별