연도별 풀이 오답노트 별표문제

반도체설계산업기사 (2018년04월28일 기출문제)

1과목 : 반도체공학

빛을 받으면 전자와 정공 쌍생성을 통해 전류를 발생하는 다이오드는?

P형 기판을 갖는 MOS 용량 구조에서 게이트 금속 극판의 전압 V_GS가 기판 전압 V_BS 보다 큰 경우 V_GS가 증가함에 따라 전계가 증가함으로써 실리콘 경계면에 전자가 모여 형성된 층은?

접합형 전계효과 트랜지스터(JFET: Junction Field Effect Transistor)의 동작은?

원소 주기율표에서 반도체 재료로 사용하지 않는 족은?

PN 접합 다이오드에서 역방향 바이어스 전압이 인가되었을 때 나타나는 현상과 관련이 없는 것은?

PN접합 다이오드에서 바이어스의 인가방법에 따른 전위장벽은?

FET의 차단 주파수에 영향을 주는 요소가 아닌 것은?

다음 중 전도대역의 전자와 가전자대역의 정공이 가전자상태에 있는 전자가 전도대역으로 천이되었을 때 발생되는 현상은?

평형 상태의 PN 접합에서 내부 전위장벽은?

P형 반도체의 정공이 1m³ 당 4.4×10²⁰[m^-3]일 때, 반도체의 도전율은 얼마인가? (단, 정공의 이동도는 0.17[m²/V·s]이다.)

Si의 물리적 성질 중 해당되지 않는 것은?

반도체의 전기 전도도에 영향을 미치지 않는 것은?

컬렉터의 역바이어스를 계속해서 증가시키면 컬렉터 접합의 공간전하층이 베이스 영역 안으로 깊숙이 퍼져가며 마지막에는 이미터 접합의 공간 전하층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?

nMOS FET에서 게이트 전압을 높이면 드레인과 소스 사이에 전류 I_D가 흐르기 시작한다. 이 시점의 게이트 전압을 무엇이라고 하는가?

전력 소자로서 쓰이는 정류기의 필요조건이 아닌 것은?

화합물 반도체 재료가 아닌 것은?

다음 반도체의 종류에 따른 다수캐리어와 소수캐리어에 관한 내용 중 옳은 것은?

쌍극성 접합 트랜지스터의 바람직한 조건이 아닌 것은?

PN 접합에서 공핍층의 두께는 역방향 바이어스전압(V_r)에 어떤 관계가 있는가?

NPN 바이폴라 트랜지스터의 3가지 영역을 불순물의 도핑 농도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?

2과목 : 전자회로

1mH의 인덕터에 전압 1V, 주파수 1kHz의 신호를 인가할 경우 리액턴스 값은?

LED 세그먼트의 활용법으로 옳은 것은?

부귀환 증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 틀린 것은?

이상적인 연산증폭기(OP-AMP)의 특징으로 틀린 것은?

5V 직류전압원에 저항(R) 30Ω과 LED가 직렬로 연결된 회로에서 LED에서 소모되는 전력은? (단, LED의 전압강하는 1.4V 이다.)

그림과 같이 1kΩ저항과 다이오드의 직렬회로에서 전압(V_O)의 크기는 약 몇 V 인가?

다음 회로에서 전압 이득이 –100이 되기 위한 R2값은 얼마인가?

다이오드에 관한설명으로 옳지 않은 것은?

다음 회로에 V_i = V_msinωt 의 파형을 인가하였을 때 출력 파형에 해당되는 회로는? (단, V_m은 3V 보다 크다.)

AM 변조에서 반송파의 전력이 500mW, 변조도가 60%일 때, 피변조파의 전력은 몇 mW 인가?

귀환 발진기의 발진조건에 대한 설명 중 틀린 것은? (단, A는 증폭도, β는 귀환량이다.)

일반적인 펄스 파형의 구간별 명칭에 관한 설명 중 옳은 것은?

n형 반도체를 만들기 위하여 사용하는 불순물은?

다음 같은 회로에서 R_L에 100mA의 전류가 흐를 때 R_L의 값은? (단, V_i=5V, R₁=47k, R₂=470kΩ이다.)

연산증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?

신호의 일그러짐이 가장 적고 안정한 증폭기는?

그림과 같은 회로를 여파기로 사용하면 주파수 특성은?

트랜지스터에서 β는 다음 중 어느 조건에서 결정할 수 있겠는가?

트랜지스터를 증폭기로 사용할 때의 동작영역으로 옳은 것은?

정류 전원의 구성 중 정류기 회로와 필터 사이에 나타나는 파형의 형태는? (단, 입력전압은 사인파 교류전압이라 가정한다.)

3과목 : 논리회로

다음 회로가 나타내는 기능은?

0 과 1의 조합에 의하여 어떠한 기호라도 표현될수 있도로 부호화를 행하는 회로를 무엇이라고 하는가?

다음은 전가산기의 진리표 일부이다. A, B, C, D의 값은? (단, Z는 밑의 자리에서 올라오는 캐리(carry)이며, 출력 중 C는 다음 자리로 올라가는 캐리이다.)

읽기 전용의 기억장치는?

1비트 단위의 2진수 정보를 저장(기억)할 수 있는 2진 셀(cell)을 무엇이라 하는가?

JK 플립플롬을 다음 그림과 같이 연결했을 때 같은 기능을 수행하는 것은?

기억장치에 관한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?

BCD 코드에 3을 더하여 변형시킨 코드로 10진수에 대한 보수를 자체에 포함하고 있어 자기보수 코드로 이용되는 코드는?

다음 회로도의 A 값이 0011이고, B 값이 1000일 때 출력 Y는?

다음 회로 중 조합논리회로가 아닌 것은?

10진수 0.6875를 2진수로 변환할 때 옳은 것은?

n단으로 구성된 일반 카운터는 2ⁿ개의 모드를 갖는데 반해, n단으로 구성된 시프트 카운터는 몇 개의 모드를 갖는가?

3개의 입력과 2개의 출력을 가지는 회로이며 앞 디지트에 빌려준 1을 고려하여 뺄셈을 수행하는 것은?

판독/기록 메모리에 데이터를 넣는 동작으로 옳은 것은?

순서논리회로를 설계하려 할 때 그 순서로 가장 옳은 것은?

T형 플립플롭에서 입력 T=0일 때 다음 상태 Q(t+1)는? (단, 현재 상태는 Q(t)이다.)

10진수 0.1875를 8진수로 변환한 결과는?

를 가장 간략히 간소화 시킨 것은?

디코더의 출력 선이 8개라면 입력 선은 몇 개 인가?

다음 회로의 논리식은?

4과목 : 집적회로 설계이론

시스템의 행동을 기술하기 위한 하드웨어 기술 언어에 속하는 것은?

다음 집적회로의 제조 과정에서 가장 늦게 진행되는 작업은?

MOSFET에서 출력 논리 레벨이 완전히 복원되어 안정화되는 트랜지스터는?

실제의 IC 소자들이 가지고 있는 지연시간을 고려한 시뮬레이션 방법으로 여러 단이 종속적(cascade)으로 연결되었을 경우, 최종출력에서 발생하는 spike나 glitch 등을 방지하기 위한 방법은?

VLSI 설계에서 강조되는 구조적 설계의 원칙으로 거리가 먼 것은?

플로우(flow) 플랜부터 라우팅까지 수동으로 진행하며 개발기간이 길어지는 대신 의도한 대로 레이아웃이 가능한 설계방식은?

다음 설명 중 Pseudo-nMOS 회로에 대한 설명으로 옳은 것은?

모노리식(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?

입력 정적 CMOS NAND 게이트에 대한 설명 중 틀린 것은?

다음 CMOS 회로에서 NOR 게이트는?

게이트 어레이의 일종인 SoG(Sea of Gates) 설계방식의 특징으로 틀린 것은?

일정한 이동도를 갖는 이상적인 MOSFET에서 아래와 같은 파라미터를 주었을 때 차단주파수는? (단, 채널길이 L=4um, 채널 폭 W=20um, 전자의 이동도 μ_n=4000cm/V·s, 문턱전압 v_T=0.642, 게이트 전압 V_GS=3V로 한다.)

CMOS 집적회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

SPICE로 CMOS 인버터의 입출력 전압 전달특성을 확인할 때 사용되는 해석 방법은?

MOS 동적 논리회로를 정적논리와 비교한 설명으로 옳지 않은 것은?

게이트 어레이 설계기법의 일종으로 배선영역 없이 배선하는 기술은?

다음 중 집적회로의 종류가 아닌 것은?

동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 채널 폭이 2배로 증가하고, 채널의 길이가반으로 감소하면 차단주파수(f_t)의 변화는? (단, 포화영역으로 가정하고, 모든 기생 용량의 영향은 무시한다.)

CMOS 인버터의 동작 특성으로 틀린 것은?

반도체 공정 과정 중 감광막에 대한 설명 으로 틀린 것은?

연도별