2020년08월22日 77번

[공업화학]
반도체 공정에 대한 설명 중 틀린 것은?

① 감광반응되지 않은 부분을 제거하는 공정을 에칭이라 하며, 건식과 습식으로 구분할 수 있다.
② 감광성 고분자를 이용하여 실리콘웨이퍼에 회로패턴을 전사하는 공정을 리소그래피(lithography) 라고 한다.
③ 화학기상증착법 등을 이용하여 3족 또는 6족의 불순물을 실리콘웨이퍼내로 도입하는 공정을 이온주입이라 한다.
④ 웨이퍼 처리공정 중 잔류물과 오염물을 제거하는 공정을 세정이라 하며, 건식과 습식으로 구분할 수 잇다.

(정답률: 54%)

문제 해설

"화학기상증착법 등을 이용하여 3족 또는 6족의 불순물을 실리콘웨이퍼내로 도입하는 공정을 이온주입이라 한다."가 틀린 설명입니다. 이온주입은 불순물을 이온화하여 실리콘 웨이퍼에 도입하는 공정입니다. 이와 달리 화학기상증착법은 기체나 액체 상태의 화학물질을 웨이퍼 위에 증착시켜 박막을 형성하는 공정입니다.

이전 문제 다음 문제

연도별

진행 상황

0 오답

0 정답

2020년08월22日 77번

[공업화학] 반도체 공정에 대한 설명 중 틀린 것은?

문제 해설

연도별

진행 상황

[공업화학]
반도체 공정에 대한 설명 중 틀린 것은?