2019년04월27일 75번
[집적회로 설계이론] 동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 게이트 산화막 두께가 2배 증가하면 포화영역에서의 드레인 전류는 어떻게 변하는가?
- ① 2배로 증가
- ② 4배로 증가
- ③ 1/2로 감소
- ④ 1/4로 감소
(정답률: 63%)
문제 해설
MOS 트랜지스터의 게이트 산화막 두께가 2배 증가하면 산화막의 전하 저장 용량이 2배 증가하게 됩니다. 이는 게이트와 채널 사이의 전압이 증가되어 채널에 흐르는 전류가 감소하게 됩니다. 따라서 포화영역에서의 드레인 전류는 1/2로 감소하게 됩니다.