2019년04월27일 80번
[집적회로 설계이론] MOS 트랜지스터에서 게이트에서의 커패시턴스 관계식은? (단, L은 게이트의 길이, W는 게이트의 폭, Tox는 산화막의 두께, Cox는 SiO2의 유전율을 의미한다.)
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①
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②
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③
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④
(정답률: 64%)
문제 해설
답은 ""이다. MOS 트랜지스터에서 게이트에서의 커패시턴스는 CoxWL/Tox로 표현된다. 이는 산화막의 두께 Tox가 작을수록 커패시턴스가 커지고, 게이트의 길이 L이 길수록 커패시턴스가 작아지며, 게이트의 폭 W가 넓을수록 커패시턴스가 커진다는 것을 의미한다.
"이다. MOS 트랜지스터에서 게이트에서의 커패시턴스는 CoxWL/Tox로 표현된다. 이는 산화막의 두께 Tox가 작을수록 커패시턴스가 커지고, 게이트의 길이 L이 길수록 커패시턴스가 작아지며, 게이트의 폭 W가 넓을수록 커패시턴스가 커진다는 것을 의미한다.
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